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Rohm Semiconductor RBR30T40ANZC9
| Artikelnummer: | RBR30T40ANZC9 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | RBR30T40ANZ IS LOW VF |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1000+ | $0.7694 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
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Rohm Semiconductor RBR30T40ANZC9 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RBR30T40ANZC9.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 620 mV @ 15 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 40 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-220FN Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Cut Tape (CT) Betriebstemperatur - Anschluss 150°C Befestigungsart Through Hole Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 360 µA @ 40 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 15A Grundproduktnummer RBR30 -
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